
SISH108DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SISH108DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SISH108DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SISH108DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISH108DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH |
Tempo de espera previsto do fabricante | 49 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 20 V 14A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 1212-8SH PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SISH108DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 4,9mOhm a 22A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 30 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | ±16V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 1,5W (Ta) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 1212-8SH PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,94000 € | 0,94 € |
| 10 | 0,58400 € | 5,84 € |
| 100 | 0,38280 € | 38,28 € |
| 500 | 0,29606 € | 148,03 € |
| 1 000 | 0,26810 € | 268,10 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,23259 € | 697,77 € |
| 6 000 | 0,21470 € | 1 288,20 € |
| 9 000 | 0,20559 € | 1 850,31 € |
| 15 000 | 0,19536 € | 2 930,40 € |
| 21 000 | 0,19364 € | 4 066,44 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,94000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,15620 € |







