
SISH536DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISH536DN-T1-GE3 |
Descrição | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montagem em superfície 1212-8SH PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 3,25mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +16V, -12V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1150 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 1212-8SH PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,93000 € | 0,93 € |
| 10 | 0,58400 € | 5,84 € |
| 100 | 0,38140 € | 38,14 € |
| 500 | 0,29422 € | 147,11 € |
| 1 000 | 0,26615 € | 266,15 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,23049 € | 691,47 € |
| 6 000 | 0,21253 € | 1 275,18 € |
| 9 000 | 0,20338 € | 1 830,42 € |
| 15 000 | 0,19310 € | 2 896,50 € |
| 21 000 | 0,18702 € | 3 927,42 € |
| 30 000 | 0,18111 € | 5 433,30 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,93000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,14390 € |






