Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.3284 EUR
Availability: InStock

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SISS23DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SISS23DN-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SISS23DN-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,5mOhm a 20A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	900mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	8840 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação	-50°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	1212-8S PowerPAK®
Pacote / Invólucro	1212-8S PowerPAK®
Número base de produto	SISS23