
SISS23DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISS23DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 20 V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SISS23DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8V, 4,5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 4,5mOhm a 20A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 900mV a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 300 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 8840 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 4,8W (Ta), 57W (Tc) | |
Temperatura de operação | -50°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 1212-8S PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,36000 € | 1,36 € |
| 10 | 0,86100 € | 8,61 € |
| 100 | 0,57290 € | 57,29 € |
| 500 | 0,44922 € | 224,61 € |
| 1 000 | 0,40941 € | 409,41 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,35885 € | 1 076,55 € |
| 6 000 | 0,33341 € | 2 000,46 € |
| 9 000 | 0,32045 € | 2 884,05 € |
| 15 000 | 0,30589 € | 4 588,35 € |
| 21 000 | 0,29948 € | 6 289,08 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,36000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,67280 € |


