
SISS30DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SISS30DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SISS30DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SISS30DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISS30DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 80 V 15,9A (Ta), 54,7A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 8,25mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,8V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1666 pF @ 10 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 4,8W (Ta), 57W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 1212-8S PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,60000 € | 1,60 € |
| 10 | 1,01400 € | 10,14 € |
| 100 | 0,68020 € | 68,02 € |
| 500 | 0,53706 € | 268,53 € |
| 1 000 | 0,49101 € | 491,01 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,43255 € | 1 297,65 € |
| 6 000 | 0,40313 € | 2 418,78 € |
| 9 000 | 0,38815 € | 3 493,35 € |
| 15 000 | 0,37279 € | 5 591,85 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,60000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,96800 € |





