Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.7798 EUR
Availability: InStock

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SISS5623DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SISS5623DN-T1-GE3
Descrição	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SISS5623DN-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,6V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 33 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1575 pF @ 30 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 10,5A (Ta), 36,3A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 1212-8S PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro 1212-8S PowerPAK®
Rds on (máx.) para Id, Vgs 24mOhm a 10A, 10V	Número base de produto SISS5623