Name: SISS92DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS92DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9434 EUR
Availability: InStock

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SISS92DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SISS92DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SISS92DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SISS92DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SISS92DN-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	42 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 250 V 3,4A (Ta), 12,3A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 16 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 350 pF @ 125 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 250 V	Invólucro do dispositivo fornecido 1212-8S PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,4A (Ta), 12,3A (Tc)	Pacote / Invólucro 1212-8S PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Número base de produto SISS92
Rds on (máx.) para Id, Vgs 173mOhm a 3,6A, 10V