Name: SIZ250DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8573 EUR
Availability: InStock

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SIZ250DT-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIZ250DT-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Tempo de espera previsto do fabricante	29 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montagem em superfície PowerPair® 8 (3,3x3,3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIZ250DT-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	14A (Ta), 38A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12,2mOhm a 10A, 10V, 12,7mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	21nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	840pF a 30V, 790pF a 30V
Potência - Máx.	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerWDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPair® 8 (3,3x3,3)
Número base de produto	SIZ250