SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produtos semicondutores discretos

SIZ300DT-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIZ300DT-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIZ300DT-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Montagem em superfície PowerPair® 8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIZ300DT-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A, 28A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	24mOhm a 9,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	400pF a 15V
Potência - Máx.	16,7W, 31W
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerWDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPair® 8
Número base de produto	SIZ300