Name: SQ1470AEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND
Price: 0.9102 EUR
Availability: InStock

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SQ1470AEH-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQ1470AEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQ1470AEH-T1_GE3
Descrição	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 1,7A (Tc) 3,3W (Tc) Montagem em superfície SC-70-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQ1470AEH-T1_GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	65mOhm a 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,6V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	450 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SC-70-6
Pacote / Invólucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número base de produto	SQ1470