Name: SQ2301CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2301CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.5904 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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SQ2301CES-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	742-SQ2301CES-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQ2301CES-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQ2301CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQ2301CES-T1_GE3
Descrição	P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 3,9A (Tc) 3W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8 nC @ 4.5 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 425 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,9A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 4,5V	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 120mOhm a 2,8A, 4,5V	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Fita e carretel (TR)