SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

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SQ2315ES-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQ2315ES-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQ2315ES-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQ2315ES-T1_GE3
Descrição	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 13 nC @ 4.5 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±8V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 870 pF @ 4 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 2W (Tc)
Part Status Obsoleto	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de FET Canal P	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 12 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 50mOhm a 3,5A, 10V	Número base de produto SQ2315
Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (2)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
SQ2315ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	2 970	742-SQ2315ES-T1_BE3CT-ND	0,78000 €	Direct
SQ2315CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ2315CES-T1_GE3CT-ND	0,54000 €	Recomendado pelo fabricante