Name: SQ4410EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4410EY-T1_GE3TR-ND
Price: 2.3124 EUR
Availability: InStock

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SQ4410EY-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQ4410EY-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQ4410EY-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQ4410EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQ4410EY-T1_GE3
Descrição	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 15A (Tc) 5W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQ4410EY-T1_GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 53 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2385 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 5W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 12mOhm a 10A, 10V	Número base de produto SQ4410
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA

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Substitutos (7)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
SQ4410EY-T1_BE3	Vishay Siliconix	4 521	742-SQ4410EY-T1_BE3CT-ND	46,41000 €	Direct
AO4468	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	6 068	785-1038-1-ND	19,32000 €	Similar
BSO110N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	176	BSO110N03MSGXUMA1CT-ND	25,20000 €	Similar
DMN4468LSS-13	Diodes Incorporated	775	DMN4468LSS-13DICT-ND	15,96000 €	Similar
DMN4800LSSL-13	Diodes Incorporated	3 551	DMN4800LSSL-13DICT-ND	16,59000 €	Similar