
SQ4920EY-T1_GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SQ4920EY-T1_GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 23 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 30V 8A 4,4W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | Porta de nível lógico | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 8A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 14,5mOhm a 6A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 30nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1465pF a 15V | |
Potência - Máx. | 4,4W | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 2,17000 € | 2,17 € |
| 10 | 1,39200 € | 13,92 € |
| 100 | 0,94940 € | 94,94 € |
| 500 | 0,75998 € | 379,99 € |
| 1 000 | 0,69909 € | 699,09 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,63319 € | 1 582,98 € |
| 5 000 | 0,59249 € | 2 962,45 € |
| 7 500 | 0,57176 € | 4 288,20 € |
| 12 500 | 0,56795 € | 7 099,37 € |
| Preço unitário sem VAT: | 2,17000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 2,66910 € |

