Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 2.4723 EUR
Availability: InStock

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SQ4949EY-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQ4949EY-T1_GE3
Descrição	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 7,5A (Tc) 3,3W Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais P (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,5A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	35mOhm a 5,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1020pF a 25V
Potência - Máx.	3,3W
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Número base de produto	SQ4949