Name: SQD50P06-15L_T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQD50P06-15L_T4GE3TR-ND
Price: 2.4477 EUR
Availability: InStock

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SQD50P06-15L_T4GE3
Número de produto da DigiKey	742-SQD50P06-15L_T4GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQD50P06-15L_T4GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQD50P06-15L_T4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQD50P06-15L_T4GE3
Descrição	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 150 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5910 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 50A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Rds on (máx.) para Id, Vgs 15,5mOhm a 17A, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA