Name: SQJ940EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ940EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.2386 EUR
Availability: InStock

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SQJ940EP-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQJ940EP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQJ940EP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQJ940EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJ940EP-T1_GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Montagem em superfície PowerPAK® SO-8 assimétrico duplo
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20nC a 20V
Séries TrenchFET®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 896pF a 20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 48W, 43W
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Configuração 2 canais N (duplo)	Qualificação AEC-Q101
Característica FET Porta de nível lógico	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40V	Pacote / Invólucro SO-8 Dual PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15A (Ta), 18A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PowerPAK® SO-8 assimétrico duplo
Rds on (máx.) para Id, Vgs 16mOhm a 15A, 10V	Número base de produto SQJ940