Cascata MOSFET 60V 23,5A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
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SQJ968EP-T1_GE3

Número de produto da DigiKey
SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SQJ968EP-T1_GE3
Descrição
MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
Tempo de espera previsto do fabricante
23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 60V 23,5A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SQJ968EP-T1_GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Part Status
Ativo
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 canais N (duplo)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
23,5A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
33,6mOhm a 4,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
18,5nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
714pF a 30V
Potência - Máx.
42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TA)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
SO-8 Dual PowerPAK®
Invólucro do dispositivo fornecido
SO-8 Dual PowerPAK®
Número base de produto
SQJ968
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT)
Quantidade Preço unitário Preço total
11,40000 €1,40 €
100,88900 €8,89 €
1000,59410 €59,41 €
5000,46750 €233,75 €
1 0000,42679 €426,79 €
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0000,37509 €1 125,27 €
6 0000,34908 €2 094,48 €
9 0000,34080 €3 067,20 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:1,40000 €
Preço unitário com VAT:1,72200 €