Name: SQJB00EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB00EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.0664 EUR
Availability: InStock

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SQJB00EP-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQJB00EP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQJB00EP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQJB00EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJB00EP-T1_GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Tempo de espera previsto do fabricante	37 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 30A (Tc) 48W Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQJB00EP-T1_GE3 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 35nC a 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1700pF a 25V
Séries TrenchFET®	Potência - Máx. 48W
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Part Status Ativo	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Configuração 2 canais N (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60V	Pacote / Invólucro SO-8 Dual PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 30A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 Dual PowerPAK®
Rds on (máx.) para Id, Vgs 13mOhm a 10A, 10V	Número base de produto SQJB00
Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 250µA