Name: SQS411ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS411ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.4145 EUR
Availability: InStock

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SQS411ENW-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQS411ENW-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQS411ENW-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQS411ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQS411ENW-T1_GE3
Descrição	MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 16A (Tc) 39,5W (Tc) Montagem em superfície 1212-8W PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	16A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	27,3mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3191 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	39,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	1212-8W PowerPAK®
Pacote / Invólucro	1212-8W PowerPAK®
Número base de produto	SQS411