Name: SQS414CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS414CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.1316 EUR
Availability: InStock

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SQS414CENW-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	742-SQS414CENW-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQS414CENW-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQS414CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQS414CENW-T1_GE3
Descrição	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 18A (Tc) 33W (Tc) Montagem em superfície 1212-8W PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	23mOhm a 2,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	870 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	33W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	1212-8W PowerPAK®
Pacote / Invólucro	1212-8W PowerPAK®