Name: SQS660CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS660CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

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SQS660CENW-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	742-SQS660CENW-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQS660CENW-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQS660CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQS660CENW-T1_GE3
Descrição	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Tempo de espera previsto do fabricante	37 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 18A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície 1212-8W PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 26 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1950 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 62,5W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 18A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 1212-8W PowerPAK®
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11,2mOhm a 7A, 10V	Pacote / Invólucro 1212-8W PowerPAK®

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Fita e carretel (TR)