Canal N 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Furo passante TO-220AB
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SUP60030E-GE3

Número de produto da DigiKey
SUP60030E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SUP60030E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Tempo de espera previsto do fabricante
55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SUP60030E-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET®
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
3,4mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
7910 pF @ 40 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220AB
Pacote / Invólucro
TO-220-3
Número base de produto
SUP60030
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Quantidade
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
14,05000 €4,05 €
502,09360 €104,68 €
1001,90420 €190,42 €
5001,57226 €786,13 €
1 0001,46566 €1 465,66 €
2 0001,45334 €2 906,68 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:4,05000 €
Preço unitário com VAT:4,98150 €