NXPSC126506Q WeEn Semiconductors | Produtos semicondutores discretos

NXPSC126506Q está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico

Toshiba Semiconductor and Storage

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Preço unitário : 3,12000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NXPSC126506Q
Número de produto da DigiKey	1740-NXPSC126506Q-ND
Fabricante	WeEn Semiconductors
Número de produto do fabricante	NXPSC126506Q
Descrição	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 650 V 12A Furo passante TO-220AC
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais
Fabricante	WeEn Semiconductors
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.)	650 V
Corrente - Média retificada (Io)	12A
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If	1.7 V @ 12 A
Velocidade	Sem tempo de recuperação> 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)	0 ns
Corrente - Fuga reversa para Vr	80 µA @ 650 V
Capacitância para Vr, F	380pF a 1V, 1MHz
Tipo de montagem	Furo passante
Pacote / Invólucro	TO-220-2
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220AC
Temperatura de operação - Junção	175°C (máx.)
Número base de produto	NXPSC