Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico



WNSC2D1012006Q | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 1740-WNSC2D1012006Q-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | WNSC2D1012006Q |
Descrição | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Diodo 1200 V 10A Furo passante TO-220AC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns |
Fabricante | Corrente - Fuga reversa para Vr 50 µA @ 1200 V |
Embalagem Tubo | Capacitância para Vr, F 481pF a 1V, 1MHz |
Part Status Ativo | Tipo de montagem |
Tecnologia | Pacote / Invólucro |
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.) 1200 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220AC |
Corrente - Média retificada (Io) 10A | Temperatura de operação - Junção -55°C a 175°C |
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If 1.6 V @ 10 A | Número base de produto |
Velocidade Tempo zero de recuperação > 500mA (Io) |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| UJ3D1210TS | onsemi | 9 401 | 5556-UJ3D1210TS-ND | 7,16000 € | Equivalente paramétrico |
| VS-4C10ET12T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 910 | 112-VS-4C10ET12T-M3-ND | 4,46000 € | Equivalente paramétrico |
| VS-4C10ET12THM3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 998 | 112-VS-4C10ET12THM3-ND | 4,94000 € | Equivalente paramétrico |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,54291 € | 1 628,73 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,54291 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 0,66778 € |



