SDRAM - Móvel LPDDR4 CI de memória 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
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SDRAM - Móvel LPDDR4 CI de memória 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
200-TFBGA
Winbond AI Solutions

W66AP6NBQAGJ

Número de produto da DigiKey
256-W66AP6NBQAGJ-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
W66AP6NBQAGJ
Descrição
IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA
Referência do cliente
Descrição detalhada
SDRAM - Móvel LPDDR4 CI de memória 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Frequência de clock
1.867 GHz
Fabricante
Tempo do ciclo de escrita - Palavra, página
18ns
Embalagem
Bandeja
Tempo de acesso
3.6 ns
Part Status
Não para novos designs
Tensão - Alimentação
1,06V a 1,17V, 1,7V a 1,95V
Tipo de memória
Volátil
Temperatura de operação
-40°C a 105°C (TC)
Formato de memória
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tecnologia
SDRAM - Móvel LPDDR4
Pacote / Invólucro
Tamanho da memória
Invólucro do dispositivo fornecido
200-TFBGA (10x14,5)
Organização de memória
64M x 16
Número base de produto
Interface de memória
LVSTL_11
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
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Bandeja
Quantidade Preço unitário Preço total
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