
C3M0120065J | |
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Número de produto da DigiKey | 1697-C3M0120065J-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | C3M0120065J |
Descrição | 650V 120M SIC MOSFET |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 21A (Tc) 86W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | C3M0120065J Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Obsoleto | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 157mOhm a 6,76A, 15V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,6V a 1,86mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 26 nC @ 15 V | |
Vgs (máx.) | +19V, -8V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 640 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 86W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263-7 | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 7,97000 € | 7,97 € |
| 10 | 6,19300 € | 61,93 € |
| 50 | 5,48200 € | 274,10 € |
| 100 | 5,26210 € | 526,21 € |
| 250 | 5,02976 € | 1 257,44 € |
| 500 | 4,88976 € | 2 444,88 € |
| 1 000 | 4,77456 € | 4 774,56 € |
| Preço unitário sem VAT: | 7,97000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 9,80310 € |

