XP2322GN YAGEO XSEMI | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XP2322GN
Número de produto da DigiKey	5048-XP2322GNTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP2322GNCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP2322GNDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP2322GN
Descrição	MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 2,5A (Ta) 833mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	XP2322
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	90mOhm a 1,6A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	560 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	833mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3