XP2615GEY YAGEO XSEMI | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XP2615GEY
Número de produto da DigiKey	5048-XP2615GEYTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP2615GEYCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP2615GEYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP2615GEY
Descrição	MOSFET P-CH 30V 5A SOT26
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 5A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície SOT-26
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	XP2615
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	52mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1330 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-26
Pacote / Invólucro	SOT-23-6