XP4509AGM YAGEO XSEMI | Produtos semicondutores discretos

XP4509AGM está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Recomendado pelo fabricante

YAGEO XSEMI

Em estoque: 0

Preço unitário : 0,00000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XP4509AGM
Número de produto da DigiKey	5048-XP4509AGMTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP4509AGMCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP4509AGMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP4509AGM
Descrição	MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 11,2A (Ta), 8A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	XP4509A
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	Canal N e P
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11,2A (Ta), 8A (Ta)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	10mOhm a 10A, 10V, 21mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	19,2nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1140pF a 25V, 2000pF a 25V
Potência - Máx.	2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO