XP83T03GJB YAGEO XSEMI | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XP83T03GJB
Número de produto da DigiKey	5048-XP83T03GJB-ND
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP83T03GJB
Descrição	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 75A (Tc) 60W (Tc) Furo passante TO-251S
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	XP83T03
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	34 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1840 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	60W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-251S
Pacote / Invólucro	TO-251-3 condutores curtos, IPAK, TO-251AA
Número base de produto	XP83