XP9565GEM YAGEO XSEMI | Produtos semicondutores discretos

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YAGEO XSEMI

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XP9565GEM
Número de produto da DigiKey	5048-XP9565GEMTR-ND - Fita e carretel (TR) 5048-XP9565GEMCT-ND - Fita cortada (CT) 5048-XP9565GEMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de produto do fabricante	XP9565GEM
Descrição	MOSFET P-CH 40V 6.5A 8SO
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 6,5A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	YAGEO XSEMI
Séries	XP9565
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	38mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1570 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)