Silicon Carbide MOSFET

Silicon Carbide MOSFET

STMicroelectronics

Unlike other SiC transistors like BJTs and JFETs, the SiC MOSFET is very easy to drive, similar to standard MOSFETs. A simple drive circuit reduces the number of components and complexity of the final design as compared to non-MOSFET SiC solutions.

Related Parts

ImagemNúmero de peça do fabricanteDescriçãoTensão dreno-fonte (Vdss)Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°CAvailable QuantityPreçoVer detalhes
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT30N120SICFET N-CH 1200V 40A HIP2471200 V40A (Tc)257 - Immediate$19.67Ver detalhes
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247SCT20N120SICFET N-CH 1200V 20A HIP2471200 V20A (Tc)549 - Immediate$10.58Ver detalhes
PTM Published on: 2016-05-06

Related Product Highlight

STPOWER SiC MOSFETs STMicroelectronics' silicon-carbide power MOSFETs offer higher levels of efficiency, consistency, and reliability for energy related applications.
Power MOSFETs STMicroelectronics' power MOSFETs are designed for applications which include switch-mode power supplies, lighting, DC-DC converters, motor control, and automotive.

Related Articles and Blogs

Os semicondutores de ampla banda proibida estão remodelando o mundo dos transportes Todo o setor de transporte está passando por uma transformação radical com soluções para carros elétricos e híbridos e transporte de massa mais limpo.
Semicondutores de ampla banda proibida em aplicações aeroespaciais e de satélite Os semicondutores de ampla banda proibida trazem várias vantagens na conversão de energia, tais como maior densidade de potência e eficiência, reduzindo o tamanho e peso do sistema.
Working with SiC MOSFETS: Challenges and Design Recommendations SiC MOSFETs bring enormous benefits but only if designers are aware of design obstacles such as parasitics, ringing, and conduction and switching losses.

Related Product Training Modules

ST MOSFETs To give users a quick overview of basic MOSFET parameters and fundamentals.