Reengineering Silicon Power Devices: How to improve both conduction and switching losses
This deep-dive explains how to reduce both conduction and switching losses without traditional tradeoffs. Learn key concepts like RDS(on), QSW, and EOSS, and see real boost converter test results demonstrating improved efficiency, performance, and reliability versus conventional silicon and GaN solutions.
Part List
| Imagem | Número de peça do fabricante | Descrição | Tipo de FET | Tecnologia | Tensão dreno-fonte (Vdss) | Available Quantity | Preço | Ver detalhes | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | IS20M5R5S1T | MOSFET N-CH 200V 151A TOLL | Canal N | MOSFET (óxido metálico) | 200 V | 100 - Immediate | $8.28 | Ver detalhes |
![]() | ![]() | IS20M6R3S1P | MOSFET N-CH 200V 172A TO-220 | Canal N | MOSFET (óxido metálico) | 200 V | 977 - Immediate | $6.34 | Ver detalhes |
![]() | ![]() | IS20M028S1C | MOSFET N-CH 200V 45A PDFN-8 | Canal N | MOSFET (óxido metálico) | 200 V | 3106 - Immediate | $3.12 | Ver detalhes |
![]() | ![]() | IS20M028S1P | MOSFET N-CH 200V 41A TO-220 | Canal N | MOSFET (óxido metálico) | 200 V | 991 - Immediate | $3.58 | Ver detalhes |
![]() | ![]() | IS15M7R1S1C | MOSFET N-CH 150V 133A PDFN-8 | Canal N | MOSFET (óxido metálico) | 150 V | 0 | $5.01 | Ver detalhes |






