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Canal N 100 V 12A (Ta), 150A (Tc) 1,9W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
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AOB410L

Número de produto da DigiKey
785-AOB410L-ND
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de produto do fabricante
AOB410L
Descrição
MOSFET N-CH 100V TO263
Tempo de espera previsto do fabricante
20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 12A (Ta), 150A (Tc) 1,9W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Séries
SDMOS™
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12A (Ta), 150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
6,5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
7950 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
1,9W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
AOB410
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
8001,38684 €1 109,47 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:1,38684 €
Preço unitário com VAT:1,70581 €