Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 1.4268 EUR
Availability: InStock

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BS107PSTZ
Número de produto da DigiKey	BS107PSTZDICT-ND - Fita cortada (CT) BS107PSTZTB-ND - Fita e caixa (TB)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	BS107PSTZ
Descrição	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Furo passante E-Line (compatível com TO-92)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita cortada (CT) Fita e caixa (TB)
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,6V, 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	30Ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	-
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	85 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	E-Line (compatível com TO-92)
Pacote / Invólucro	E-Line-3
Número base de produto	BS107