Name: DMN2600UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2600UFB-7DITR-ND
Price: 0.2952 EUR
Availability: InStock

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DMN2600UFB-7
cms-digikey-product-number	DMN2600UFB-7DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN2600UFB-7DICT-ND - Fita cortada (CT) DMN2600UFB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Diodes Incorporated
cms-manufacturer-product-number	DMN2600UFB-7
cms-description	MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
cms-standard-lead-time	24 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 25 V 1,3A (Ta) 540mW (Ta) Montagem em superfície X1-DFN1006-3
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	25 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	350mOhm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.85 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	70.13 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	540mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	X1-DFN1006-3
Pacote / Invólucro	3-UFDFN
Número base de produto	DMN2600

Preço unitário sem VAT:	0,24000 €
Preço unitário com VAT:	0,29520 €

DMN2600UFB-7