Name: DMP1007UCB9-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP1007UCB9-7TR-ND
Price: 1.2792 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DMP1007UCB9-7
Número de produto da DigiKey	31-DMP1007UCB9-7TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMP1007UCB9-7CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMP1007UCB9-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMP1007UCB9-7
Descrição	MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 8 V 13,2A (Ta) 840mW (Ta) Montagem em superfície U-WLB1515-9 (tipo C)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	8 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5,7mOhm a 2A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	900 pF @ 4 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	840mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	U-WLB1515-9 (tipo C)
Pacote / Invólucro	9-UFBGA, WLBGA
Número base de produto	DMP1007