Name: DMP1022UFDEQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP1022UFDEQ-7TR-ND
Price: 1.1316 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DMP1022UFDEQ-7
Número de produto da DigiKey	31-DMP1022UFDEQ-7TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMP1022UFDEQ-7CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMP1022UFDEQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMP1022UFDEQ-7
Descrição	MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 12 V 9,1A (Ta) 660mW (Ta) Montagem em superfície U-DFN2020-6 (tipo E)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	12 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16mOhm a 8,2A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	800mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	42.6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2953 pF @ 4 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	660mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	U-DFN2020-6 (tipo E)
Pacote / Invólucro	PowerUDFN-6
Número base de produto	DMP1022