Name: DMP2010UFV-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2010UFV-13TR-ND
Price: 0.9717 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DMP2010UFV-13
Número de produto da DigiKey	31-DMP2010UFV-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMP2010UFV-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMP2010UFV-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMP2010UFV-13
Descrição	MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 50A (Tc) 2W (Ta) Montagem em superfície PowerDI3333-8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9,5mOhm a 3,6A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3350 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerDI3333-8
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	DMP2010