Name: DMP65H20D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND
Price: 1.5252 EUR
Availability: InStock

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DMP65H20D0HSS-13
Número de produto da DigiKey	31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMP65H20D0HSS-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMP65H20D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMP65H20D0HSS-13
Descrição	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 600 V 200mA (Ta) 1,9W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	20Ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	9.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	400 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,9W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)