Name: DMT10H009LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LK3-13TR-ND
Price: 1.8573 EUR
Availability: InStock

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DMT10H009LK3-13
Número de produto da DigiKey	31-DMT10H009LK3-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMT10H009LK3-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMT10H009LK3-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMT10H009LK3-13
Descrição	MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 90A (Tc) 1,7W (Ta) Montagem em superfície TO-252 (DPAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMT10H009LK3-13 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2309 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,7W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252 (DPAK)
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	DMT10