Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 1.968 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H017LPDQ-13
Número de produto da DigiKey	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH10H017LPDQ-13
Descrição	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Montagem em superfície PowerDI5060-8 (Típ. E)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Ta), 59A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	17,4mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28,6nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1986pF a 50V
Potência - Máx.	1,5W (Ta), 93W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerDI5060-8 (Típ. E)
Número base de produto	DMTH10