Name: DMTH8012LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH8012LPSQ-13DITR-ND
Price: 1.5129 EUR
Availability: InStock

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DMTH8012LPSQ-13
Número de produto da DigiKey	DMTH8012LPSQ-13DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMTH8012LPSQ-13DICT-ND - Fita cortada (CT) DMTH8012LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH8012LPSQ-13
Descrição	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2,6W (Ta), 136W (Tc) Montagem em superfície PowerDI5060-8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta), 72A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	17mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	46.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2051 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,6W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerDI5060-8
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	DMTH8012