Name: DMTH8012LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH8012LPSQ-13DITR-ND
Price: 1.5867 EUR
Availability: InStock

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DMTH8012LPSQ-13
Número de produto da DigiKey	DMTH8012LPSQ-13DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMTH8012LPSQ-13DICT-ND - Fita cortada (CT) DMTH8012LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH8012LPSQ-13
Descrição	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2,6W (Ta), 136W (Tc) Montagem em superfície PowerDI5060-8
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 46.8 nC @ 10 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2051 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,6W (Ta), 136W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 10A (Ta), 72A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PowerDI5060-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 17mOhm a 12A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA	Número base de produto DMTH8012

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Substitutos (2)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
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Preço unitário sem VAT:	1,29000 €
Preço unitário com VAT:	1,58670 €

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