BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

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BSC196N10NSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC196N10NSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC196N10NSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC196N10NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC196N10NSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 8,5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC196N10NSGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 42µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 34 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2300 pF @ 50 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 78W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8,5A (Ta), 45A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto BSC196
Rds on (máx.) para Id, Vgs 19,6mOhm a 45A, 10V

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (11)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
ISC230N10NM6ATMA1	Infineon Technologies	0	448-ISC230N10NM6ATMA1TR-ND	0,35839 €	Recomendado pelo fabricante
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