Name: ZXMN6A25GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A25GTATR-ND
Price: 1.722 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

ZXMN6A25GTA
Número de produto da DigiKey	ZXMN6A25GTATR-ND - Fita e carretel (TR) ZXMN6A25GTACT-ND - Fita cortada (CT) ZXMN6A25GTADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	ZXMN6A25GTA
Descrição	MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 4,8A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície SOT-223-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ZXMN6A25GTA Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	50mOhm a 3,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1063 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 155°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-223-3
Pacote / Invólucro	TO-261-4, TO-261AA
Número base de produto	ZXMN6