Name: DI200N10D2
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI200N10D2-ND
Price: 3.7023 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DI200N10D2
Número de produto da DigiKey	4878-DI200N10D2-ND
Fabricante	Diotec Semiconductor
Número de produto do fabricante	DI200N10D2
Descrição	MOSFET D2PAK N 100V 200A
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 200A (Tc) 340W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DI200N10D2 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diotec Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2.3mOhm @ 120A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	262 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	16800 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	340W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263AB (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB