
DI200N10D2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 4878-DI200N10D2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | DI200N10D2 |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 8 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 200A (Tc) 340W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | DI200N10D2 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 262 nC @ 10 V |
Embalagem Granel | Vgs (máx.) ±20V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 16800 pF @ 50 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 340W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263AB (D2PAK) |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2.3mOhm @ 120A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| DI200N10D2 | Diotec Semiconductor | 346 | 4878-DI200N10D2-ND | 16,21000 € | Equivalente paramétrico |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 3,18000 € | 3,18 € |
| 10 | 2,07400 € | 20,74 € |
| 100 | 1,44590 € | 144,59 € |
| 800 | 1,11769 € | 894,15 € |
| 1 600 | 1,04112 € | 1 665,79 € |
| 2 400 | 1,00212 € | 2 405,09 € |
| 5 600 | 0,95794 € | 5 364,46 € |
| Preço unitário sem VAT: | 3,18000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 3,91140 € |


