Canal N 100 V 200A (Tc) 340W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DI200N10D2

Número de produto da DigiKey
4878-DI200N10D2-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
DI200N10D2
Descrição
MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
Tempo de espera previsto do fabricante
8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 200A (Tc) 340W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
DI200N10D2 Modelos
Atributos de produto
Filtrar produtos similares
Mostrar atributos vazios
Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
262 nC @ 10 V
Embalagem
Granel
Vgs (máx.)
±20V
Part Status
Ativo
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
16800 pF @ 50 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
340W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263AB (D2PAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2.3mOhm @ 120A, 10V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (1)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
DI200N10D2Diotec Semiconductor3464878-DI200N10D2-ND3,18000 €Equivalente paramétrico
Em estoque: 346
Verifique se há estoque adicional de entrada
Todos os preços estão em EUR
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
13,18000 €3,18 €
102,07400 €20,74 €
1001,44590 €144,59 €
8001,11769 €894,15 €
1 6001,04112 €1 665,79 €
2 4001,00212 €2 405,09 €
5 6000,95794 €5 364,46 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:3,18000 €
Preço unitário com VAT:3,91140 €