FCH76N60N Fairchild Semiconductor | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FCH76N60N
Número de produto da DigiKey	2156-FCH76N60N-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de produto do fabricante	FCH76N60N
Descrição	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Séries	SupreMOS™
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	76A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	36mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	285 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	12385 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	543W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247
Pacote / Invólucro	TO-247-3