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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
GE12050EEA3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 4014-GE12050EEA3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | GE12050EEA3 |
Descrição | MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montagem em chassis Módulo |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | GE Aerospace | |
Séries | ||
Embalagem | Granel | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | Canal 6 N (ponto trifásica) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 475A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 4,4mOhm a 475A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,5V a 160mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 1248nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 29300pF a 600V | |
Potência - Máx. | 1250W | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Qualificação | AEC-Q101 | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | Módulo | |
Número base de produto |
Em estoque: 5
PRODUTO DO MERCADO
Será enviado em aproximadamente 10 dias pela GE Aerospace
Será aplicada separadamente uma taxa de frete fixa de 17,27 €
A informação do código da data será incluída com a remessa deste produto.
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Granel
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 7 599,70000 € | 7 599,70 € |
| Preço unitário sem VAT: | 7 599,70000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 9 347,63100 € |
Portugal