Name: G120P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G120P06MTR-ND
Price: 2.5215 EUR
Availability: InStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

G120P06M
Número de produto da DigiKey	3141-G120P06MTR-ND - Fita e carretel (TR) 3141-G120P06MCT-ND - Fita cortada (CT) 3141-G120P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante	G120P06M
Descrição	MOSFET P-CH 60V 120A
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 120A (Tc) 277W (Tc) Montagem em superfície
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Goford Semiconductor
Séries	Trench
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8,5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	12215 pF @ 30 V
Dissipação de potência (máx.)	277W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície