Name: G18P03S
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G18P03STR-ND
Price: 1.1562 EUR
Availability: InStock

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G18P03S
Número de produto da DigiKey	3141-G18P03STR-ND - Fita e carretel (TR) 3141-G18P03SCT-ND - Fita cortada (CT) 3141-G18P03SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de produto do fabricante	G18P03S
Descrição	P-30V,-15A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 15A (Tc) 3,1W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Goford Semiconductor
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	10mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3570 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,1W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)